正所謂"外行看熱鬧，内行看門道"，很多朋友搜尋一款固态硬盤的信息主要看性能跑分，而知識更加豐富的玩家則會重點關注這款固态硬盤的硬件架構，閃存規格以及主控、固件的口碑。畢竟除了跑分，還有很多因素影響着固态硬盤到底是否好用。

今天存儲極客就将帶你深入到固态硬盤以及閃存的基礎知識當中，帶你看懂行業"黑話"，不再一臉懵逼。

Channel：通道

提到一個固态硬盤的通道數量，多數時候說的是閃存通道，但M.2 NVMe固态硬盤會有PCIE通道的參數。我們這裡談的是前者。

閃存通道數量直接反映了固态硬盤的并發讀寫能力。可以簡單理解為馬路上有多少條車道，顯然通道數量越多，理論性能越好。當然，還有很多影響因素，通道數量隻是一個底子。

CE：片選信号

緊跟閃存通道之後的往往就是CE數量。經常可以在一些固态硬盤評測中看到這樣的介紹，某某主控支持X通道，每通道支持Y CE。CE是Chip Enable片選的縮寫，下圖是一個東芝閃存顆粒的邏輯結構，2 Die封裝，擁有兩個CE信号。

除了通道可以并行提升吞吐量之外，多CE交錯也可以提高固态硬盤性能。主控的閃存通道以及每通道支持的CE數量還會影響它最終能夠提供多大的固态硬盤容量。

Package：封裝

我們能夠看到的一顆閃存就是一個Package封裝，它有TSOP或者BGA兩種形态，前者的引腳在封裝兩側引出，後者則在封裝的底部擁有一個球栅陣列。下圖是東芝TR200固态硬盤中使用的TSOP封裝閃存顆粒。TSOP和BGA本身沒有好壞之分，通常在空間足夠的情況下使用TSOP，而M.2固态硬盤則大都選擇封裝密度更高的BGA形态。BGA封裝還有一個優勢：每個顆粒能支持2個甚至4個閃存通道，而TSOP隻能支持1個。

我們在上邊看到的黑色顆粒并不是閃存的本來面目，那隻是一到多個芯片通過引線鍵合或者TSV矽通孔工藝完成連接之後，再用樹脂材料封裝并引出針腳。而芯片則是從閃存晶圓中摘下的一小片合格晶粒。

俗稱的原片就是由原廠檢測并封裝、打上原廠商标的高品質顆粒，原廠固态硬盤，比如上面提到的東芝TR200當中使用的就是這種類型的閃存。而白片則是未經原廠認證的不明體制閃存芯片封裝成的閃存顆粒；黑片是在檢測中明确被淘汰的下腳料，被利益熏心的人低價回收後賭人品。

Die：這裡并不是死的意思

Die也被稱作LUN（邏輯單元），也是閃存内可執行命令并回報自身狀态的最小獨立單元。下圖是由4個Plane組成兩個Die，兩個die組成的芯片。

單Die容量是衡量閃存技術先進性的一個指标。單Die容量越大意味着閃存存儲密度越高，做出來的固态硬盤容量也就越大。目前東芝第三代3D TLC閃存已經實現512Gb的單Die容量，如果是QLC類型，則能達到768Gb的水平。

Plane：面

一個閃存Die可以擁有1到多個Plane面。下圖是東芝BiCS3閃存的一個512Gb Die，包含了兩個256Gb容量的Plane面，總容量512Gb。

Block：塊

接下來就到了微觀領域，通常是無法直接看到外觀的層級。NAND閃存自問世那一刻起就有一個恒定不變的使用要求：寫入（Program）數據前必須先進行擦除（Erase），而閃存的最小擦除單位就是Block塊。

Page：頁

每個Block都是由數百乃是數千個Page頁組成的，而Page的意義也非比尋常，它是閃存當中能夠讀取合寫入的最小單位。當前閃存的一個Page通常是16KB，如果你需要讀取512字節的數據，那在閃存層面上就必須把包含這512字節數據的整個Page頁内容全部讀出（實際發生的讀取16KB）。

Cell：單元

每個16KB的Page頁又是由大量的Cell單元構成。Cell是閃存的最小工作單位，執行數據存儲的任務。閃存根據每個單元内可存儲的數據量分成SLC（1bit/Cell）、MLC（2bit/Cell）、TLC（3bit/Cell）和QLC（4bit/Cell），成本依次降低，容量依次增大，耐用度也依次降低。目前3D TLC是閃存的主力類型，優質的原廠閃存配合具備LDPC糾錯的主控，可以實現3000次左右的擦寫壽命，與過去2D平面MLC閃存接近。

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