工藝目的：通過化學反應腐蝕掉矽片背面及四周的PN結，以達到正面和背面絕緣的目的，同時去除正面的磷矽玻璃層。
工藝材料：合格的多晶矽片（擴散後）、H2SO4（98%，電子級）、HF（40%，電子級）、KOH（50%,電子級）、HNO3（65%，電子級）、DI水（大于15 MΩ·cm）、壓縮空氣（除油，除水，除粉塵）、冷卻水等。
工藝原理：
Rena Inoxide刻蝕工藝主要包括三部分：
硫酸、硝酸、氫氟酸 氫氧化鉀 氫氟酸
本工藝過程中，硝酸将矽片背面和邊緣氧化，形成二氧化矽，氫氟酸與二氧化矽反應生成絡合物六氟矽酸，從而達到刻蝕的目的。
刻蝕之後經過KOH溶液去除矽片表面的多孔矽，并将從刻蝕槽中攜帶的未沖洗幹淨的酸除去。
最後利用HF酸将矽片正面的磷矽玻璃去除。并用DI水沖洗矽片，最後用壓縮空氣将矽片表面吹幹。
工藝流程 略
主要控制點 略
工藝準備 略
注意事項 略
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