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電流速斷保護範圍最小的運行方式
電流速斷保護範圍最小的運行方式
更新时间:2026-10-26 00:27:59

電流速斷保護範圍最小的運行方式(谷底電流限流保護)1

為了濾除電流檢測信号前沿尖峰,現在的峰值電流模式控制器都具有前沿消隐時間(Leading Edge Blanking LEB),這個設置會導緻二個問題:

1、輸出短路時,無法提供可靠的過流保護;

2、低占空比應用,如19V輸入、1V輸出,800kHz工作頻率,導通時間小于LEB時間,系統無法正确調節,如圖1所示;另外,在這種應用中,輸出短路時,輸出回路的阻抗和短路電流的乘積所得的電壓值,很難降低到低于0.5VFB、更不用說0.2VFB,因此,輸出短路的頻率折返功能将無法起作用。

Is*Rout > 0.2*VFB

Is:短路電路;

Rout:輸出回路電阻。

電流速斷保護範圍最小的運行方式(谷底電流限流保護)2

圖1 過小導通時間系統無法正确調節

低占空比應用,BUCK變換器上管導通時間短,下管導通時間長,對于峰值電流模式,在非常短的上管導通時間内,無法及時檢測到電流信号;但是,如果檢測下管電流,就有足夠時間準确的檢測到電流信号。基于這種電流檢測的控制方式,稱為谷底電流PWM控制方式,以及COT固定導通時間控制方式。下面以COT控制方式為例,說明它的限流保護原理。

COT控制方式,就是檢測下管電流,也就是輸出電感鋸齒波的谷底(點)電流。通常,在谷底電流點時刻,下管關斷,經過短時的死區時間後,上管再開通。

谷底電流檢測,可以檢測下管功率MOSFET的導通壓降,也就是使用下管的導通電阻RDS(ON),作為電流取樣電阻。由于功率MOSFET的導通電阻随溫度變化的範圍大,為了獲得正确的電流檢測信号,系統内部必須具有溫度補償電路,這種電流取樣方式成本低,效率高。

另一種方式就是下管串聯外部的取樣電阻,這種方式電流取樣的精度高,也不需要溫度補償,但成本高,影響系統的效率。

COT控制模式的BUCK變換器輸出短路時,谷底電流會逐漸擡高,如果設定一個電流值,當谷底電流增加到高于這個電流值時,下管就不再關斷,一直保持導通狀态, 直到谷底電流降低到等于這個值時,才關斷下管,如圖2所示。

電流速斷保護範圍最小的運行方式(谷底電流限流保護)3

圖2 谷底限流工作原理

這種控制方式問題在于、不同的輸出電感值,不同的輸入電壓,峰值電流不相同:

L*di/dt = Vin – Vo

輸出電感越小、輸入電壓越大,峰值電流值就越大,電感平均電流也就越大,如圖3所示。如果電感選擇不合适,在一些應用條件下,電感可能會飽和,就會産生風險。同樣的,系統不能一直工作在電流較大的限流狀态,在确認進入谷底限流後,不同芯片會使用不同的保護工作模式。

電流速斷保護範圍最小的運行方式(谷底電流限流保護)4

圖3 不同工作條件電感峰值電流和平均電流

1、Hiccup打嗝工作模式

當進入谷底限流後,延時一段時間,然後系統再檢測,如果輸出仍然短路、還工作在谷底限流狀态,系統就同時關閉上、下管的驅動信号,停止工作。然後,延時更長的一段時間,系統重新啟動,如此反複,如圖4、圖5所示。如果系統檢測到輸出短路消除,就進入到正常工作。

延遲時間使用内部的時鐘信号計數,計數器計滿一定的個數如512、1024、2048、4096,…,設定相應的延遲時間。

電流速斷保護範圍最小的運行方式(谷底電流限流保護)5

圖4 打嗝工作模式

電流速斷保護範圍最小的運行方式(谷底電流限流保護)6

圖5 進入打嗝工作模式波形

2、降低谷底限流值

當進入谷底限流後,延時一段時間,然後系統再檢測,如果輸出仍然短路、還工作在谷底限流狀态,系統就降低設定的谷底限流值,例如,降低到原來谷底限流值的1/2,從而降低輸出電感的峰值電流和平均值電流,保證系統的安全,如圖6所示。

電流速斷保護範圍最小的運行方式(谷底電流限流保護)7

圖6 降低谷底限流值

3、同時使用峰值限流和谷點限流

當系統工作條件如輸入電壓、輸出電感發生變化的時候,輸出電感的峰值電流、平均電流也随之發生改變,就産生了上面的應用問題。如果系統同時檢測峰值電流和谷底電流,同時使用峰值限流和谷底限流,這樣,不管什麼工作條件,當輸出短路時,輸出電流相當于工作在恒定的平均電流,也就是恒流輸出狀态,如圖7所示。由于電感的峰值電流和平均電流工作在合理設定的範圍内,這樣系統安全可靠;同時,瞬态輸出短路或過載消除後,輸出電壓恢複的響應速度非常快。

電流速斷保護範圍最小的運行方式(谷底電流限流保護)8

圖7 峰值限流和谷點限流的恒流模式

4、同步BUCK變換器下管的負向電流限流保護

在同步BUCK變換器中,還有一個電流要進行限制保護,就是當系統輸出從大負載切換到輕載或空載,如果下管導通的時間較長,當輸出電感的電流過0後,下管還保持導通狀态,那麼,輸出電壓就會對輸出電感反向激磁,形成負向電流,也就倒灌電流,如圖8所示。下管的電流從原來的源極S流向漏極D,變為從漏極D流向源極S,如圖9所示。當下管關斷時,可能導緻功率MOSFET産生雪崩發生損壞。

電流速斷保護範圍最小的運行方式(谷底電流限流保護)9

圖8 下管負向電流限流

電流速斷保護範圍最小的運行方式(谷底電流限流保護)10

a) 下管正常工作電流方向

電流速斷保護範圍最小的運行方式(谷底電流限流保護)11

b) 下管反向電流方向

圖9 下管電流工作方向

因此,在系統的内部,也要對下管的負向電流進行限流保護,當下管的負向電流達到一定值,就提前關閉下管。

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