1、靜電的産生（自然現象）

1.1 兩種不同起電序列的物體通過摩擦、碰撞、剝離等方式在接觸又分離之後 在一種物體上積聚正電荷，另一種物體上積聚等量的負電荷機時形成的。這是由于兩種不同的物體相互緊密接觸時，它們最外層電子的逸出功不同，電子從逸出功較小的物體跳逸到逸出功較大的物體中去。此外，導體靜電感應、壓電感應、電磁輻射應等也能産生很高的靜電壓。

1.2 産生産靜電的原因很多,主要與物體的特性、表面狀态、接觸面積、接觸壓力、 摩擦速度、帶電量、帶電性溫度、濕度等有關。相對濕度越大時，物體表的導電性增加，電荷在物體上将減少儲存，大部分傳至表面而洩漏，相對濕度小時， 電荷就很難洩露。

2、工廠内常見的靜電源：靜電源指可産生靜電荷的物體。

a. 環境：

地闆：封蠟的混凝土，塗蠟的木材，普通的維尼龍磁磚或平闆，根據靜電源材料，靜電荷的多少，分離速度，環境濕度的不同而定

工作面：塗蠟，塗漆或凡立水處理的表面，普通的乙烯或塑膠台面

4、 ESD敏感元器件，組件和設備的分級：

1級：易遭0~1999V ESD電壓危害的電子産品；

2級：易遭2000~4999V ESD電壓危害的電子産品；

3級：易遭4000~15999V ESD電壓危害的電子産品

5、ESD敏感元器件：

1級：敏感電壓範圍0~1999V

元 器 件 類 型 ;

微波器件,薄膜電阻器，集成電路，使用1級元器件的混合電路，超高速集成電路（VHSIC），環境溫度100℃時，10＜0.175A的晶體閘流管（SCRS）.

2級：敏感電壓範圍2000~3999V

元 器 件 類 型 ;

試驗數據确定為2級的元器件和微電路. 離散型MOS場效應晶體管 結型場效應晶體管（JEETS） 運算放大器（OP AMPS） 集成電路（ICS） 超高速集成電路（VHSIC） 精密電阻網絡（R2） 使用2級元器件的混合電路 低功率雙極型晶體管，Ptot≤100mW, Ic＜100mA

3級：敏感電壓範圍4000~15999V

元器件類型 ;

試驗數據确定為3級的元器件微電路.離散型MOS場效應晶體管 運算放大器（OP AMPS） 集成電路（ICS） 超高速集成電路（VHSIC） 所有不包括在1級或2級中的其他微電路 Ptot ＜1W或10 ＜1A的小信号二極管 普通要求的矽整流器 10＞0.175A的晶體閘流管（SCRS） 350mW＞Ptot＞100mW且400MA＞10 ＞100mA的低功率雙極型晶體管 光電器件（發光二極管、光敏器件、光耦合器） 片狀電阻器

6、ESD失效模式

a. 熱二次擊穿：發熱---融化---過熱增大融化—短路 .

b. 金屬渡層融熔：金屬層式融合引線燒熔.

c. 介質擊穿（電壓擊穿）：一般潛在失效最終形式一次擊穿.

d. 氣弧後電壓放電：引起功能退化.

e .表面擊穿：絕緣表面.

f .體擊穿：二次擊穿産生體.

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