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電容的去耦和旁路區别
電容的去耦和旁路區别
更新时间:2025-07-29 23:14:34

電容的去耦和旁路區别?有源器件在開關時産生的高頻開關噪聲将沿着電源線傳播去耦電容的主要功能就是提供一個局部的直流電源給有源器件,以減少開關噪聲在闆上的傳播和将噪聲引導到地,現在小編就來說說關于電容的去耦和旁路區别?下面内容希望能幫助到你,我們來一起看看吧!

電容的去耦和旁路區别(關于電容的旁路與去偶總結)1

電容的去耦和旁路區别

有源器件在開關時産生的高頻開關噪聲将沿着電源線傳播。去耦電容的主要功能就是提供一個局部的直流電源給有源器件,以減少開關噪聲在闆上的傳播和将噪聲引導到地

1,耦合,有聯系的意思。

2,耦合元件,尤其是指使輸入輸出産生聯系的元件。

3,去耦合元件,指消除信号聯系的元件。

4,去耦合電容簡稱去耦電容。

5,例如,晶體管放大器發射極有一個自給偏壓電阻,它同時又使信号産生壓降反饋到輸入端形成了輸入輸出信号耦合,這個電阻就是産生了耦合的元件,如果在這個電阻兩端并聯一個電容,由于适當容量的電容器對交流信号較小的阻抗(這需要計算)這樣就減小了電阻産生的耦合效應,故稱此電容為去耦電容。

從電路來說,總是存在驅動的源和被驅動的負載。如果負載電容比較大,驅動電路要把電容充電、放電,才能完成信号的跳變,在上升沿比較陡峭的時候,電流比較大,這樣驅動的電流就會吸收很大的電源電流,由于電路中的電感,電阻(特别是芯片管腳上的電感,會産生反彈),這種電流相對于正常情況來說實際上就是一種噪聲,會影響前級的正常工作。這就是耦合。

去耦和旁路都可以看作濾波。正如ppxp所說,去耦電容相當于電池,避免由于電流的突變而使電壓下降,相當于濾紋波。具體容值可以根據電流的大小、期望的紋波大小、作用時間的大小來計算。去耦電容一般都很大,對更高頻率的噪聲,基本無效。旁路電容就是針對高頻來的,也就是利用了電容的頻率阻抗特性。電容一般都可以看成一個RLC串聯模型。在某個頻率,會發生諧振,此時電容的阻抗就等于其ESR。如果看電容的頻率阻抗曲線圖,就會發現一般都是一個V形的曲線。具體曲線與電容的介質有關,所以選擇旁路電容還要考慮電容的介質,一個比較保險的方法就是多并幾個電容。

去耦電容在集成電路電源和地之間的有兩個作用:一方面是本集成電路的蓄能電容,另一方面旁路掉該器件的高頻噪聲。數字電路中典型的去耦電容值是0.1μF。這個電容的分布電感的典型值是5μH。0.1μF的去耦電容有5μH的分布電感,它的并行共振頻率大約在7MHz左右,也就是說,對于10MHz以下的噪聲有較好的去耦效果,對40MHz以上的噪聲幾乎不起作用。1μF、10μF的電容,并行共振頻率在20MHz以上,去除高頻噪聲的效果要好一些。每10片左右集成電路要加一片充放電電容,或1個蓄能電容,可選10μF左右。最好不用電解電容,電解電容是兩層薄膜卷起來的,這種卷起來的結構在高頻時表現為電感。要使用钽電容或聚碳酸酯電容。去耦電容的選用并不嚴格,可按C=1/F,即10MHz取0.1μF,100MHz取0.01μF。

一般來說,容量為uf級的電容,象電解電容或钽電容,他的電感較大,諧振頻率較小,對低頻信号通過較好,而對高頻信号,表現出較強的電感性,阻抗較大,同時,大電容還可以起到局部電荷池的作用,可以減少局部的幹擾通過電源耦合出去;容量為0.001~0.1uf的電容,一般為陶瓷電容或雲母電容,電感小,諧振頻率高,對高頻信号的阻抗較小,可以為高頻幹擾信号提供一條旁路,減少外界對該局部的耦合幹擾

在電子電路中,去耦電容和旁路電容都是起到抗幹擾的作用,電容所處的位置不同,稱呼就不一樣了。

對于同一個電路來說,旁路(bypass)電容是把輸入信号中的高頻噪聲作為濾除對象,把前級攜帶的高頻雜波濾除,而去耦(decoupling,也稱退耦)電容是把輸出信号的幹擾作為濾除對象。

在供電電源和地之間也經常連接去耦電容,它有三個方面的作用:一是作為本集成電路的蓄能電容;二是濾除該器件産生的高頻噪聲,切斷其通過供電回路進行傳播的通路;三是防止電源攜帶的噪聲對電路構成幹擾。

我來總結一下,旁路實際上就是給高頻幹擾提供一個到地的能量釋放途徑,不同的容值可以針對不同的頻率幹擾。所以一般旁路時常用一個大貼片加上一個小貼片并聯使用。對于相同容量的電容的Q值我認為會影響旁路時高頻幹擾釋放路徑的阻抗,直接影響旁路的效果,對于旁路來說,希望在旁路作用時,電容的等效阻抗越小越好,這樣更利于能量的排洩。

這個比較好,應該算應用及的數字電路輸出信号電平轉換過程中會産生很大的沖擊電流,在供電線和電源内阻上産生較大的壓降,使供電電壓産生跳變,産生阻抗噪聲(亦稱開關噪聲),形成幹擾源。

一、沖擊電流的産生:

(1)輸出級控制正負邏輯輸出的管子短時間同時導通,産生瞬态尖峰電流

(2)受負載電容影響,輸出邏輯由“0”轉換至“1”時,由于對負載電容的充

電而産生瞬态尖峰電流。

瞬态尖峰電流可達50ma,動作時間大約幾ns至幾十ns。

二、降低沖擊電流影響的措施:

(1)降低供電電源内阻和供電線阻抗

(2)匹配去耦電容

三、何為去耦電容

在ic(或電路)電源線端和地線端加接的電容稱為去耦電容。

四、去耦電容如何取值

去耦電容取值一般為0.01~0.1uf,頻率越高,去耦電容值越小。

五、去耦電容的種類

(1)獨石 (2)玻璃釉 (3)瓷片 (4)钽

六、去耦電容的放置

去耦電容應放置于電源入口處,連線應盡可能短。

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