圖1:分立原件組成的多諧振蕩器

如上，圖1所示，用兩個同型号的三極管構成。

振蕩原理：

假設VT1導通C1經R1充電，使C1兩端電壓不斷上升，引起VT2基極b電位不斷上升，最終VT2導通，迫使C2拉低到地，引起VT1截止，此時C2經過R2開始充電，使C2兩端電壓不斷上升，引起VT1基極b電位不斷上升，最終VT1導通，迫使C1拉低到地，引起VT2截止，此時C1經過R1又開始充電，如此循環形成振蕩。

VT1、VT2輪流導通 與截止，在Q1、Q2端輸出矩形波。

如果電路對稱（R1=R2，C1=C2），則Q輸出為一定頻率的方波。

振蕩周期：T ≈ 1.4 · R1 · C1

圖2：兩個非門組成的振蕩器

如上，圖2所示，兩個非門組成的振蕩器。

振蕩原理：

假設Q為低電平，則非門2的輸入端為高電平，經過R對C充電，C的電壓上升，直到非門1輸入端的電壓達到反轉電壓，此時非門1的輸出變為低電平，Q變為高電平。

此時，Q點、C、R、非門2的輸入端，極性反轉，相對于之前變為放電回路，然後轉為反向充電，C的電壓下降，直到非門1輸入的電壓達到反轉電壓，此時非門1的輸出變為高電平，Q變為低電平。

如此循環，形成振蕩，在Q端輸出方波。

如果非門的反轉電壓為電源電壓的1/2。

則振蕩周期：T ≈ 2.2 · R · C

Rs用于穩定振蕩頻率，驅使為6~10倍的R。

圖3：三個非門組成的振蕩器

如上，圖3所示，三個非門組成的振蕩器。

原理和兩個非門的差不多，但是相比起兩個非門的振動器更容易起振，工作更穩定，還能獲得更高的振蕩頻率。

以上兩種産生的都是方波輸出，占空比D=1，要改變占空比，可以使用二極管将充放電回路分開。

圖4：三個非門組成的可變占空比振蕩器

如上，圖4所示，三個非門組成的可變占空比振蕩器。

通過滑動電位器RP使占空比可調。

充電回路（RP2 R） · C

放電回路（RP1 R） · C

另外，用施密特觸發器組成的多諧振蕩器比用一般門電路組成的，更簡單，頻率更寬，受到電源電源和溫度的影響更小。

圖5：施密特觸發器組成的振蕩器

如上，圖5所示，施密特觸發器組成的振蕩器。

由于施密特觸發器的翻轉電壓（正向或反向）是不同的，所以隻需要一個門就可以構成多諧振蕩器。

振蕩原理：

Q端通過R給C充放電，讓施密特觸發器的輸入端電壓在兩個翻轉電壓直接來回變換，從而形成振蕩。

振蕩周期：T ≈ 1.4 · R · C

圖6：NE555組成的多諧振蕩器

如上，圖6所示，NE555組成的多諧振蕩器。

振蕩原理：

充電回路，Vcc經過RA、RB給C充電。

放電回路，C經過RB從7腳放電。

C的電壓，加載到觸發引腳2和6上，在3腳輸出方波。

占空比：D=RA/(RA 2RB)。

4腳可以控制振蕩的啟停。

圖7：兩個觸發器組成的多諧振蕩器

如上，圖7所示，兩個觸發器組成的多諧振蕩器。

由兩個D觸發器分别組成單穩态電路，然後串聯起來構成多諧振蕩器。

振蕩原理：

當開關信号送達一個低電平，或非門的輸出端會出現一個上升沿脈沖，加到CP端。

此時使第一個觸發器進入暫穩态，Q1轉為高電平，并經過R1對C1充電，随着C1電壓的升高，觸發R端使其複位，讓Q1轉為低電平，/Q1轉為高電平，對第二個觸發器的CP端施加一個上升沿脈沖。

此時使第二個觸發器進入暫穩态，Q2轉為高電平，并經過R2對C2充電，随着C2電壓的升高，觸發R端使其複位，讓Q2轉為低電平，經過或非門，在第一個觸發器的CP端施加一個上升沿脈沖。

如此循環，形成振蕩，在Q1、Q2輸出方波。

VD1、VD2分别提供C1、C2的快速放電回路，占空比由R1C1、R2C2調節。

另外，用一個觸發器也能構成振蕩器。

圖8：一個觸發器組成的振蕩器

如上，圖8所示，一個觸發器組成的振蕩器。

利用觸發器的複位端R和置位端S，接在RC充放電回路，實現反複置位和複位，讓Q端輸出方波。

另外，專用的單穩态電路，如：4098、14528等，也可以構成多諧振蕩器。

如下，圖9所示，振蕩周期：T≈0.5（R1C1 R2C2）。

圖9：專用單穩态電路組成的多諧振蕩器

圖10：集成運放組成的多諧振蕩器

如上，圖10所示，集成運放組成的多諧振蕩器。

選用雙電源運放，Dz起到限幅的作用。

多諧振蕩由兩個部分構成：

一個是，開關模塊，即，運放的反向輸入，引起輸入1時輸出0，輸入0時輸出1。

一個是，RC充放電回路，它的反複充放電，使得運放的反向輸入端，在翻轉電壓附近來回振蕩。

從而在運放輸出端得到方波。

振蕩周期由R、C決定。

T≈RF·C ln[(R1 2R2)/R1]